a.

»rozdzielczość« w pełnym zakresie wynoszącą 0,1 µm lub lepszą; oraz

b.

»niepewność pomiaru« równą lub lepszą (mniejszą) niż (0,2 + L/2 000) µm (L oznacza zmierzoną długość w mm).".

a.

posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę "laserową"; oraz

b.

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

a.

wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz

b.

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1.

przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie, o »ułamkowej szerokości pasma« powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

2.

przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 16 GHz włącznie, o »ułamkowej szerokości pasma« powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

3.

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 3 W (34,77 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie, i przy »ułamkowej szerokości pasma« wynoszącej powyżej 10 %;

4.

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (- 70 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 31,8 GHz do 37 GHz włącznie;

5.

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 37 GHz do 43,5 GHz włącznie, i przy »ułamkowej szerokości pasma« wynoszącej powyżej 10 %;

6.

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 31,62 mW (15 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 43,5 GHz do 75 GHz włącznie, i przy »ułamkowej szerokości pasma« wynoszącej powyżej 10 %;

7.

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 10 mW (10 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 75 GHz do 90 GHz włącznie, i przy »ułamkowej szerokości pasma« wynoszącej powyżej 5 %; lub

8.

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (- 70 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 90 GHz;."

a.

detektory półprzewodnikowe »klasy kosmicznej« spełniające wszystkie poniższe kryteria:

b.

detektory półprzewodnikowe »klasy kosmicznej« spełniające wszystkie poniższe kryteria:

c.

detektory półprzewodnikowe »klasy kosmicznej« posiadające reakcję szczytową w zakresie długości fal powyżej 1 200 nm, ale nieprzekraczającej 30 000 nm;

d.

»matryce detektorowe płaszczyzny ogniskowej«»klasy kosmicznej« mające więcej niż 2 048 elementów na zespół i reakcję szczytową w paśmie fal o długości powyżej 300 nm, ale nieprzekraczającej 900 nm;".

1.

chwilowe pole widzenia (IFOV) poniżej 200 µrad (mikroradianów); lub

2.

przeznaczenie do działania w zakresie fal o długości powyżej 400 nm, ale nieprzekraczającej 30 000 nm oraz mające wszystkie następujące własności:

1.

matryce CCD, niezaprojektowane ani niezmodyfikowane do osiągnięcia 'powielania ładunków'; lub

2.

matryce CMOS, niezaprojektowane ani niezmodyfikowane do osiągnięcia 'powielania ładunków'.

1.

lampowe wzmacniacze obrazu wyszczególnione w pozycji 6A002.a.2.a. lub 6A002.a.2.b.;

2.

»matryce detektorowe płaszczyzny ogniskowej« wyszczególnione w pozycji 6A002.a.3.; lub

3.

detektory półprzewodnikowe wyszczególnione w pozycji 6A002.a.1.;

Termin 'bezpośrednie widzenie' odnosi się do urządzeń tworzących obrazy przedstawiające widzialny dla człowieka obraz bez jego przetwarzania na sygnał elektroniczny przekazywany na ekran telewizyjny, niemogących zarejestrować ani utrwalić obrazu na drodze fotograficznej, elektronicznej ani żadnej innej.

a.

przemysłowych lub cywilnych systemów alarmowych, systemów kontroli ruchu drogowego lub przemysłowego ani systemów zliczających;

b.

urządzeń medycznych;

c.

urządzeń przemysłowych stosowanych do kontroli, sortowania lub analizy właściwości materiałów;

d.

wykrywaczy płomieni do pieców przemysłowych;

e.

urządzeń specjalnie zaprojektowanych do celów laboratoryjnych.

1.

chłodnice kriogeniczne »klasy kosmicznej«;

2.

następujące chłodnice kriogeniczne inne niż »klasy kosmicznej«, posiadające źródło chłodzenia o temperaturze poniżej 218 K (- 55 °C):

3.

czujnikowe włókna optyczne o specjalnym składzie lub konstrukcji lub zmodyfikowane techniką powlekania, w celu nadania im właściwości umożliwiających reagowanie na fale akustyczne, promieniowanie termiczne, siły bezwładności, promieniowanie elektromagnetyczne lub jądrowe;