Wyszukaj po identyfikatorze keyboard_arrow_down
Wyszukiwanie po identyfikatorze Zamknij close
ZAMKNIJ close
account_circle Jesteś zalogowany jako:
ZAMKNIJ close
Powiadomienia
keyboard_arrow_up keyboard_arrow_down znajdź
idź
removeA addA insert_drive_fileWEksportuj printDrukuj assignment add Do schowka
description

Akt prawny

Akt prawny
obowiązujący
Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej, L rok 2006 nr 314 str. 50
Wersja aktualna od 2006-11-15
Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej, L rok 2006 nr 314 str. 50
Wersja aktualna od 2006-11-15
Akt prawny
obowiązujący
ZAMKNIJ close

Alerty

Sprostowanie do rozporządzenia Rady (WE) nr 2116/2005 z dnia 20 grudnia 2005 r. zmieniającego rozporządzenie (WE) nr 1480/2003 nakładające ostateczne cło wyrównawcze i stanowiące o ostatecznym poborze cła tymczasowego nałożonego na przywóz niektórych mikroukładów elektronicznych znanych jako pamięć DRAM (pamięć dynamiczna o dostępie bezpośrednim) pochodzących z Republiki Korei

(Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej L 340 z dnia 23 grudnia 2005 r.)

Strona 9, w motywie 16:

zamiast:

„w sytuacjach, w których kombinowane formy pamięci DRAM”,

powinno być:

„w sytuacjach, w których (standardowe) kombinowane formy pamięci DRAM”.

Strona 9, w motywie 19:

zamiast:

„włączone w skład kombinowanych form pamięci DRAM”,

powinno być:

„włączone w skład (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM”.

Strona 9, w motywie 20:

zamiast:

„w momencie gdy chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM zostają włączone do kombinowanych form pamięci DRAM, nie mogą one już być uważane za produkt mogący być objęty cłem wyrównawczym. Uważa się jednak, że chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM włączone do kombinowanych form pamięci DRAM w dalszym ciągu zachowują swoje funkcje i właściwości. Fakt, że zostały one włączone do kombinowanych form pamięci DRAM nie powoduje, że ich cechy fizyczne lub techniczne ulegają zmianie. Ponadto funkcja, jaką spełniają kombinowane formy pamięci DRAM, czyli dostarczanie pamięci, jest dokładnie taka sama - aczkolwiek w większej skali - jak funkcja, którą spełniają rozpatrywane osobno chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM. W związku z powyższym włączenie do chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM do kombinowanych form pamięci DRAM”,

powinno być:

„w momencie gdy chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM zostają włączone do (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM, nie mogą one już być uważane za produkt mogący być objęty cłem wyrównawczym. Uważa się jednak, że chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM włączone do (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM w dalszym ciągu zachowują swoje funkcje i właściwości. Fakt, że zostały one włączone do (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM nie powoduje, że ich cechy fizyczne lub techniczne ulegają zmianie. Ponadto funkcja, jaką spełniają (standardowe) kombinowane formy pamięci DRAM, czyli dostarczanie pamięci, jest dokładnie taka sama - aczkolwiek w większej skali - jak funkcja, którą spełniają rozpatrywane osobno chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM. W związku z powyższym włączenie do chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM do (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM”.

Strona 10, w motywie 28 litera c):

zamiast:

przywóz kombinowanych form pamięci DRAM”,

powinno być:

„przywóz (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM”.

Strona 11, w motywie 30:

a) zamiast:

„...4. w przypadku kombinowanych form”,

powinno być:

„...4. w przypadku (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM”;

b) zamiast

„łącznej wartości odnośnej kombinowanej formy pamięci DRAM”,

powinno być:

„łącznej wartości odnośnej (standardowej) kombinowanej formy pamięci DRAM”.

Strona 11, w wierszach nr 1, 2, 3, 4, 5, 6 i 7 tabeli w motywie 30, oraz strony 13-14, w wierszach nr 1, 2, 3, 4, 5, 6 i 7 tabeli w art. 1 ust. 3 rozporządzenia (WE) nr 1480/2003:

zamiast:

„Kombinowane formy pamięci DRAM”,

powinno być:

„(Standardowe) kombinowane formy pamięci DRAM”.

Strona 11, w wierszach nr 2, 3, 4, 5, 6 i 7 tabeli w motywie 30, oraz strony 13-14, w wierszach nr 2, 3, 4, 5, 6 i 7 tabeli w art. 1 ust. 3 rozporządzenia (WE) nr 1480/2003:

zamiast:

„ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM”,

powinno być:

„ceny netto na granicy Wspólnoty (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM”.

Strona 13, w art. 1 ust. 1 akapit drugi, tiret piąte rozporządzenia (WE) nr 1480/2003:

zamiast:

„chipy oraz montowane pamięci DRAM wchodzące w skład kombinowanych form pamięci DRAM, w przypadku gdy te kombinowane formy pamięci DRAM”,

powinno być:

„chipy oraz montowane pamięci DRAM wchodzące w skład (standardowych) kombinowanych form pamięci DRAM, w przypadku gdy te (standardowe) kombinowane formy pamięci DRAM”.

Strona 16, w prawym górnym wierszu tabeli w pkt 4 załącznika:

zamiast:

„Cena chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM wyprodukowanych przez przedsiębiorstwa inne niż Samsung i wchodzących w skład kombinowanej formy pamięci DRAM”,

powinno być:

„Cena chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM pochodzących z Republiki Korei, wyprodukowanych przez przedsiębiorstwa inne niż Samsung i wchodzących w skład kombinowanej formy pamięci DRAM”.

* Autentyczne są wyłącznie dokumenty UE opublikowane w formacie PDF w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej.
Treść przypisu ZAMKNIJ close
Treść przypisu ZAMKNIJ close
close POTRZEBUJESZ POMOCY?
Konsultanci pracują od poniedziałku do piątku w godzinach 8:00 - 17:00