Na podstawie art. 7 ust. 3 ustawy z dnia 30 kwietnia 2010 r. o instytutach badawczych (Dz. U. Nr 96, poz. 618 oraz z 2011 r. Nr 112, poz. 654 i Nr 185, poz. 1092) zarządza się, co następuje:

§ 1. 1. Z dniem 1 stycznia 2012 r. łączy się następujące instytuty badawcze:

1) Instytut Technologii Elektronowej z siedzibą w Warszawie, numer identyfikacyjny REGON 000038971, numer identyfikacji podatkowej NIP 525-000-01-11¹⁾;

2) Ośrodek Badawczo-Rozwojowy PREDOM-OBR z siedzibą w Warszawie, numer identyfikacyjny REGON 000034424, numer identyfikacji podatkowej NIP 525-000-90-74²⁾.

2. Połączenie instytutów, o których mowa w ust. 1, następuje przez włączenie Ośrodka Badawczo-Rozwojowego PREDOM-OBR z siedzibą w Warszawie do Instytutu Technologii Elektronowej z siedzibą w Warszawie.

§ 2. Instytut Technologii Elektronowej po włączeniu instytutu, o którym mowa w § 1 ust. 1 pkt 2, zachowuje dotychczasową nazwę.

§ 3. Siedzibą Instytutu Technologii Elektronowej, zwanego dalej „Instytutem”, jest miasto stołeczne Warszawa.

§ 4. Nadzór nad Instytutem sprawuje minister właściwy do spraw gospodarki.

§ 5. 1. Przedmiotem działania Instytutu jest prowadzenie badań naukowych i prac rozwojowych, przystosowywanie wyników prowadzonych prac do zastosowania w praktyce oraz wdrażanie wyników badań naukowych i prac rozwojowych w dziedzinie nauk przyrodniczych i technicznych, w obszarach:

1) elektroniki i fizyki ciała stałego, w szczególności nanoelektroniki, mikroelektroniki, nanofotoniki, optoelektroniki i innych dyskretnych przyrządów półprzewodnikowych;

2) tworzenia i rozwoju podstaw technologii mikroelektronicznych układów hybrydowych, podzespołów biernych oraz czujników pomiarowych;

3) bazy materiałowej dla mikroelektroniki i nanofotoniki, podzespołów elektronicznych, czujników pomiarowych i elektronicznych bloków funkcjonalnych;

4) podzespołów elektronicznych i elektrycznych, urządzeń technologicznych, urządzeń kontrolno-pomiarowych, wyrobów medycznych, wyrobów powszechnego użytku, sprzętu oświetleniowego, elektronarzędzi.

2. Do zakresu działania Instytutu należy:

1) prowadzenie badań naukowych dających podstawy teoretyczne do opracowania nowych konstrukcji i technologii w dziedzinie nanostruktur, mikroelektroniki, nanofotoniki, optoelektroniki i mikromechaniki;

2) opracowywanie:

a) nowych metod projektowania oraz nowoczesnych technologii wytwarzania zintegrowanych mikrosystemów, układów scalonych i dyskretnych podzespołów elektronicznych,

b) nowoczesnych metod badawczych i miernictwa, niezbędnych przy opracowywaniu i testowaniu materiałów, struktur półprzewodnikowych i gotowych podzespołów elektronicznych,

c) nowoczesnych zintegrowanych mikrosystemów, układów scalonych, podzespołów optoelektronicznych i nanofotonicznych oraz innych dyskretnych podzespołów elektronicznych,

d) specjalistycznych urządzeń technologicznych, urządzeń kontrolno-pomiarowych i stanowisk badawczych,

e) metodyk badawczych, kryteriów kwalifikacyjnych i wymagań jakościowych wyrobów i podzespołów;

3) prowadzenie działalności normalizacyjnej, certyfikacyjnej i aprobacyjnej;

4) upowszechnianie wyników prowadzonych badań, między innymi przez prowadzenie działalności w zakresie informacji naukowej, technicznej i ekonomicznej, wynalazczości oraz ochrony własności przemysłowej i intelektualnej, a także wspierającej innowacyjność przedsiębiorstw;

5) prowadzenie studiów doktoranckich;

6) prowadzenie innych form kształcenia, w tym szkolenia i konferencji naukowych krajowych i międzynarodowych;

7) wytwarzanie układów i systemów scalonych, podzespołów oraz aparatury i urządzeń technologicznych;

8) świadczenie usług badawczych, technologicznych, pomiarowych oraz opracowywanie opinii i ekspertyz w zakresie prowadzonych badań naukowych i prac rozwojowych.

§ 6. 1. Połączenie instytutów, o których mowa w § 1 ust. 1, następuje według stanu ujętego w sprawozdaniach finansowych sporządzonych na dzień 31 grudnia 2011 r.

2. Instytut przejmuje pracowników włączanego instytutu, o którym mowa w § 1 ust. 1 pkt 2.

3. Instytut przejmuje mienie, zobowiązania i należności włączanego instytutu, o którym mowa w § 1 ust. 1 pkt 2, w formie protokołów zdawczo-odbiorczych.

4. Instytut wstępuje we wszystkie prawa i obowiązki, których podmiotem był włączany instytut, o którym mowa w § 1 ust. 1 pkt 2.

5. Zadania ujęte w planie rzeczowo-finansowym włączanego instytutu, o którym mowa w § 1 ust. 1 pkt 2, wprowadza się do planu rzeczowo-finansowego Instytutu.

6. Po połączeniu instytutów, o których mowa w § 1 ust. 1, obowiązują system finansowo-księgowy oraz system finansowo-płacowy stosowane przez Instytut Technologii Elektronowej przed dniem połączenia.

§ 7. 1. Wszystkie składniki majątkowe będące własnością instytutu, o którym mowa w § 1 ust. 1 pkt 2, według stanu na dzień 31 grudnia 2011 r., w tym prawo wieczystego użytkowania nieruchomości gruntowej oznaczonej jako działki nr 30/1, 30/2 i 30/3, położonej w Warszawie w Dzielnicy Włochy, przy ul. Krakowiaków 53, o powierzchni 18 569 m² oraz własność budynków i urządzeń trwale związanych z tą nieruchomością gruntową, w wyniku połączenia wejdą w skład Instytutu.

2. Szczegółowy wykaz składników majątkowych, o których mowa w ust. 1, określa załącznik do rozporządzenia.

§ 8. Rozporządzenie wchodzi w życie z dniem 1 stycznia 2012 r.

Załącznik do rozporządzenia Rady Ministrów
z dnia 23 grudnia 2011 r. (poz. 1764)

WYKAZ SKŁADNIKÓW MAJĄTKOWYCH